FET (Alan Etkili Transistörler)
NPN ve PNP tipi olarak adlandırılan klasik tip transistörler (İki Kutuplu Jonksiyon Transistör - BJT) alçak giriş empedansına sahiptirler. BJT 'ler, hem elektron akımı hem de delik (boşluk) akımının kullanıldığı akım kontrollü elemanlardır.
FET (Field Effect Transistör - Alan Etkili Transistör) ise yüksek giriş empedansına sahip, tek kutuplu, gerilim kontrollü bir elemandır. Elektrik alanı prensiplerine göre çalıştığından alan etkili transistörler olarak bilinir. FET 'ler, transistörlerin kullanıldığı yerlerde rahatlıkla kullanılıbilir.
FET 'lerin klasik transistörlere (BJT) göre üstünlükleri şöyle sıralanabilir:
Giriş empedansları daha yüksektir. (BJT 'de 2KΩ iken FET 'lerde yaklaşık 100MΩ 'dur.)
Anahtar olarak kullanıldığında, sapma gerilimi yoktur.
Radyasyon (yayınım) etkisi yoktur.
BJT 'lere nazaran daha az gürültülüdür.
Isısal değişimlerden etkilenmezler.
BJT 'lere göre daha küçüktür. Bu nedenle entegrelerde daha fazla kullanılırlar.
Yüksek giriş empedansı ve alçak elektrodlar arası kapasitans özelliği ile yüksek frekans devrelerinde rahtlıkla kullanılırlar.
BJT 'lere göre sakıncası ise band genişliklerinin dar olması ve çabuk hasar görebilmesidir.
0 yorum:
Yorum Gönder