FET transistorlerin giriş empedansı, BJT (Bi-Junction Transistor-Tek birlaşme yüzeyli-Normal) transistor lere göre yüksek olduğu için gürültü seviyeleride düşüktür. Şekildeki devrede, girişte kullanılan FET transistör, girişi tamponlamak için konulmuştur.
FET çıkışındaki düşük gürültülü sinyal, TON kontrol devresinde BAS ve TİZ olarak frekanslarına ayrılarak entegre ile kuvvetlendirilir. TON kontrol devresi, RC elemanları ile yapılmıştır. Buradaki filtre devreleri, ses sinyallerini frekanslarına göre ayırır. Devre çıkışında HI-FI (High -Fidelity = Yüksek Doğruluklu, gerçeğe en yakın) sinyal elde edilir. LM301 OP-AMP (Oparational Amplifier-İşlemsel Kuvvetlendirici) entegresi bulunamaz ise karakteristiği LM301’e yakın başka bir entegre devrede denebilir. Devre stereo olarak yapılacak ise aynı devreden bir tane daha yapılmalı, BAS ve TİZ potansiyometreleri stereo olarak kullanılmalıdır.
FET çıkışındaki düşük gürültülü sinyal, TON kontrol devresinde BAS ve TİZ olarak frekanslarına ayrılarak entegre ile kuvvetlendirilir. TON kontrol devresi, RC elemanları ile yapılmıştır. Buradaki filtre devreleri, ses sinyallerini frekanslarına göre ayırır. Devre çıkışında HI-FI (High -Fidelity = Yüksek Doğruluklu, gerçeğe en yakın) sinyal elde edilir. LM301 OP-AMP (Oparational Amplifier-İşlemsel Kuvvetlendirici) entegresi bulunamaz ise karakteristiği LM301’e yakın başka bir entegre devrede denebilir. Devre stereo olarak yapılacak ise aynı devreden bir tane daha yapılmalı, BAS ve TİZ potansiyometreleri stereo olarak kullanılmalıdır.
0 yorum:
Yorum Gönder